Product overview
- Product name
- SI7121ADN-T1-GE3
- Part Number
- SI7121ADN-T1-GE3
- Manufacturer
- VISHAY(威世)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- P沟道,-30V,-18A,0.015Ω@-10V
Documents & Media
- Datasheets
- SI7121ADN-T1-GE3
Product Attributes
- 最大功率耗散（Ta） :
- 3.5W
- 栅源极阈值电压 :
- 2.5V @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 15 mΩ @ 7A,10V
- 漏源电压（Vdss） :
- 30V
- 类型 :
- P 沟道
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 12A
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
Q : 可以提供原厂代理资质证明吗？
A : 中威电子自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
Q : 可以进行线下交易吗？
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
Q : 可以退货吗？
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，中威电子将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
Price & Procurement
Associated Product
You May Also Be Interested In
ACM2012-361-2P-T002
CMM11T-900M-N
CMMI21T-900Y-N
CUW11T-900M-N
SDCW3216-2-261TF
SDCW2012-2-901TF
CMF2012F-221M-2P-T
DLW31SN261SQ2L
CMF2012F-101M-2P-T
CMF2012F-121M-2P-T
DLW21SZ900HQ2L
CMF2012F-601M-2P-T
X1G004171002800
S5D6.000000B20F30T
Q33310F70061100
OVETGLJANF-4.096MHZ
O7050768MEEA4SC-1
S3D25.000000D20F30T
6N08000G33YC
O705020MEDA4SC
