Product overview
- Product name
- SI2306BDS-T1-GE3
- Part Number
- SI2306BDS-T1-GE3
- Manufacturer
- VISHAY(威世)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- N沟道,30V,4A,47mΩ@10V
Documents & Media
- Datasheets
- SI2306BDS-T1-GE3
Product Attributes
- 最大功率耗散（Ta） :
- 750mW
- 栅源极阈值电压 :
- 3V @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 47 mΩ @ 3.5A,10V
- 漏源电压（Vdss） :
- 30V
- 类型 :
- N 沟道
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 4A
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
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Price & Procurement
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