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自营库存

原装正品 现货库存
类型：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
漏源电压（Vdss）：
栅源极阈值电压：
漏源导通电阻：
最大功率耗散（Ta）：
已选条件：
88 条记录
SI4421DY-T1-E3
MOS(场效应管)/SI4421DY-T1-E3
  • 型号：SI4421DY-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
描述：P沟道,-20V,-10A,0.00875Ω@-4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥15.2760
10+
¥14.8800
30+
¥14.6160
100+
¥14.3520
整包 2500 个
库存：0
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SI7232DN-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI7232DN-T1-GE3
  • 型号：SI7232DN-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
描述：双N沟道,20V,25A,0.0164Ω@4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥5.5080
10+
¥5.3640
30+
¥5.2680
100+
¥5.1720
整包 3000 个
库存：0
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SIS410DN-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIS410DN-T1-GE3
  • 型号：SIS410DN-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥9.9600
10+
¥9.7080
30+
¥9.5400
100+
¥9.3720
整包 3000 个
库存：1
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SIR800DP-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIR800DP-T1-GE3
  • 型号：SIR800DP-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SO-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥17.0640
10+
¥16.6200
30+
¥16.3320
100+
¥16.0320
整包 3000 个
库存：4
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SI3900DV-T1-E3
MOS(场效应管)/SI3900DV-T1-E3
  • 型号：SI3900DV-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：TSOP-6
  • 包装：编带
描述：双N沟道,20V,2A,0.125Ω@4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥8.5320
10+
¥8.3160
30+
¥8.1720
100+
¥8.0160
整包 3000 个
库存：4
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SI2314EDS-T1-E3
MOS(场效应管)/SI2314EDS-T1-E3
  • 型号：SI2314EDS-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOT-23(SOT-23-3)
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥6.1440
10+
¥5.9880
30+
¥5.8800
100+
¥5.7720
整包 3000 个
库存：7
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SIR424DP-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIR424DP-T1-GE3
  • 型号：SIR424DP-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SO-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥10.2360
10+
¥9.9720
30+
¥9.8040
100+
¥9.6240
整包 3000 个
库存：7
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SI4408DY-T1-E3
MOS(场效应管)/SI4408DY-T1-E3
  • 型号：SI4408DY-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
描述：N沟道,20V,14A,0.0045Ω@10V
数据手册
含增值税
1+
¥22.5000
10+
¥21.9240
30+
¥21.5400
100+
¥21.1560
整包 2500 个
库存：10
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SIZ710DT-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIZ710DT-T1-GE3
  • 型号：SIZ710DT-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPair 6x3.7
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥16.2840
10+
¥15.8640
30+
¥15.5880
100+
¥15.3120
整包 2500 个
库存：10
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SI7900AEDN-T1-E3
MOS(场效应管)/SI7900AEDN-T1-E3
  • 型号：SI7900AEDN-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥15.8640
10+
¥15.4560
30+
¥15.1800
100+
¥14.9160
整包 3000 个
库存：10
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SI4136DY-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI4136DY-T1-GE3
  • 型号：SI4136DY-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥17.7960
10+
¥17.3400
30+
¥17.0280
100+
¥16.7280
整包 2500 个
库存：10
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SI7629DN-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI7629DN-T1-GE3
  • 型号：SI7629DN-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥12.1320
10+
¥11.8200
30+
¥11.6160
100+
¥11.4000
整包 3000 个
库存：10
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SI4966DY-T1-E3
MOS(场效应管)/SI4966DY-T1-E3
  • 型号：SI4966DY-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥18.6120
10+
¥18.1320
30+
¥17.8080
100+
¥17.4960
整包 2500 个
库存：0
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SIA519EDJ-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIA519EDJ-T1-GE3
  • 型号：SIA519EDJ-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SC-70-6
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥6.1920
10+
¥6.0360
30+
¥5.9280
100+
¥5.8200
整包 3000 个
库存：0
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SIR440DP-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIR440DP-T1-GE3
  • 型号：SIR440DP-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SO-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥15.3960
10+
¥15.0120
30+
¥14.7480
100+
¥14.4840
整包 3000 个
库存：12
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SI5513CDC-T1-E3
MOS(场效应管)/SI5513CDC-T1-E3
  • 型号：SI5513CDC-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：1206-8 ChipFET
  • 包装：编带
描述：N沟道+P沟道
数据手册
含增值税
1+
¥6.6120
10+
¥6.4440
30+
¥6.3360
100+
¥6.2160
整包 3000 个
库存：13
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SIA906EDJ-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIA906EDJ-T1-GE3
  • 型号：SIA906EDJ-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SC-70-6
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥6.6120
10+
¥6.4440
30+
¥6.3360
100+
¥6.2160
整包 3000 个
库存：0
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SI9933CDY-T1-E3
MOS(场效应管)/SI9933CDY-T1-E3
  • 型号：SI9933CDY-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
描述：双P沟道,-20V,-4A,0.058Ω@-4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥6.8520
10+
¥6.6720
30+
¥6.5520
100+
¥6.4440
整包 2500 个
库存：0
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SIA923AEDJ-T1-GE3
MOS(场效应管)/SIA923AEDJ-T1-GE3
  • 型号：SIA923AEDJ-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SC-70-6
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥6.9360
10+
¥6.7680
30+
¥6.6480
100+
¥6.5280
整包 3000 个
库存：0
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SI9926CDY-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI9926CDY-T1-GE3
  • 型号：SI9926CDY-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
描述：N沟道,20V,8.2A,20mΩ@4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥6.8520
10+
¥6.6720
30+
¥6.5640
100+
¥6.4440
整包 2500 个
库存：19
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