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自营库存

原装正品 现货库存
品牌：
类型：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
漏源电压（Vdss）：
栅源极阈值电压：
漏源导通电阻：
最大功率耗散（Ta）：
已选条件：
97 条记录
IRF7726TRPBF
MOS(场效应管)/IRF7726TRPBF
描述：P沟道
数据手册
含增值税
1+
¥3.5400
10+
¥2.6280
30+
¥2.4720
100+
¥2.3040
500+
¥2.2200
整包 4000 个
库存：0
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SI4497DY-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI4497DY-T1-GE3
  • 型号：SI4497DY-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥13.1880
10+
¥12.8520
30+
¥12.6240
100+
¥12.3960
整包 2500 个
库存：0
提交询价
SM4305PSKPC-TRG
MOS(场效应管)/SM4305PSKPC-TRG
数据手册
含增值税
1+
¥2.2680
10+
¥1.6560
30+
¥1.5360
100+
¥1.4280
500+
¥1.3800
整包 2500 个
库存：80
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SI7121ADN-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI7121ADN-T1-GE3
  • 型号：SI7121ADN-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
描述：P沟道,-30V,-18A,0.015Ω@-10V
数据手册
含增值税
1+
¥2.7120
10+
¥2.6400
30+
¥2.5920
100+
¥2.5560
整包 3000 个
库存：4
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SI4431CDY-T1-E3
MOS(场效应管)/SI4431CDY-T1-E3
  • 型号：SI4431CDY-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥11.7480
10+
¥11.4480
30+
¥11.2440
100+
¥11.0520
整包 2500 个
库存：6
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SQD90P04-9m4L_GE3
MOS(场效应管)/SQD90P04-9m4L_GE3
  • 型号：SQD90P04-9m4L_GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：TO-252-2(DPAK)
  • 包装：编带
描述：P沟道,-40V,-90A, 0.0094Ω@-10V
数据手册
含增值税
1+
¥19.5360
10+
¥19.0320
30+
¥18.7080
100+
¥18.3720
整包 2000 个
库存：6
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SI7139DP-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI7139DP-T1-GE3
  • 型号：SI7139DP-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK SO-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥11.6640
10+
¥11.3640
30+
¥11.1720
100+
¥10.9680
整包 3000 个
库存：15
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SQ3427AEEV-T1_GE3
MOS(场效应管)/SQ3427AEEV-T1_GE3
  • 型号：SQ3427AEEV-T1_GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：TSOP-6
  • 包装：编带
描述：P沟道,-60V,-5.3A,0.095Ω@-10V
数据手册
含增值税
1+
¥5.1840
10+
¥5.0520
30+
¥4.9560
100+
¥4.8720
整包 3000 个
库存：15
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SUD09P10-195-GE3
MOS(场效应管)/SUD09P10-195-GE3
  • 型号：SUD09P10-195-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：TO-252-2(DPAK)
  • 包装：编带
描述：P沟道,-100V,-8.8A,0.195Ω@-10V
数据手册
含增值税
1+
¥6.0240
10+
¥5.8680
30+
¥5.7600
100+
¥5.6640
整包 2000 个
库存：10
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SQD40P10-40L_GE3
MOS(场效应管)/SQD40P10-40L_GE3
  • 型号：SQD40P10-40L_GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：TO-252-2(DPAK)
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥19.1760
10+
¥18.6840
30+
¥18.3600
100+
¥18.0360
整包 2000 个
库存：10
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SI5419DU-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI5419DU-T1-GE3
  • 型号：SI5419DU-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK ChipFET
  • 包装：编带
描述：P沟道,-30V,-12A,0.020Ω@-10V
数据手册
含增值税
1+
¥6.6120
10+
¥6.4440
30+
¥6.3360
100+
¥6.2160
整包 3000 个
库存：20
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SM4307PSKPC-TRG
MOS(场效应管)/SM4307PSKPC-TRG
描述：P沟道,-30V,-34A
数据手册
含增值税
1+
¥2.2680
10+
¥1.7040
30+
¥1.5960
100+
¥1.4880
500+
¥1.4400
整包 2500 个
库存：449
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SW15P03
MOS(场效应管)/P沟道,30V,15A, 0.01Ω@10V
数据手册
含增值税
1+
¥1.1466
10+
¥0.8359
30+
¥0.7788
100+
¥0.7217
500+
¥0.6964
整包 2500 个
库存：28
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SQS401EN-T1_GE3
MOS(场效应管)/SQS401EN-T1_GE3
  • 型号：SQS401EN-T1_GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
描述：P沟道
数据手册
含增值税
1+
¥6.0240
10+
¥5.8680
30+
¥5.7720
100+
¥5.6640
整包 3000 片
库存：15
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SQD19P06-60L_GE3
MOS(场效应管)/SQD19P06-60L_GE3
  • 型号：SQD19P06-60L_GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：TO-252-2(DPAK)
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥11.0760
10+
¥10.8000
30+
¥10.6080
100+
¥10.4160
整包 2000 个
库存：15
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TDM3407
MOS(场效应管)/TDM3407
描述：P沟道 -40V 17mΩ@4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥3.3000
10+
¥2.4480
30+
¥2.2920
100+
¥2.1480
500+
¥2.0760
整包 2500 个
库存：45
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SQ2389ES-T1_GE3
MOS(场效应管)/SQ2389ES-T1_GE3
  • 型号：SQ2389ES-T1_GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOT-23(SOT-23-3)
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥4.0080
10+
¥3.9120
30+
¥3.8400
100+
¥3.7680
整包 3000 个
库存：74
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DMP4015SPS-13
MOS(场效应管)/DMP4015SPS-13
  • 型号：DMP4015SPS-13
  • 品牌：DIODES(美台)
  • 封装：PowerDI 5060-8
  • 包装：编带
描述：P沟道,-40V,-8.5A,11mΩ@-10V
数据手册
含增值税
1+
¥3.8160
10+
¥3.7200
30+
¥3.6600
100+
¥3.5880
整包 2500 个
库存：90
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NCE40P70K
MOS(场效应管)/NCE40P70K
  • 型号：NCE40P70K
  • 品牌：无锡新洁能
  • 封装：TO-252-2(DPAK)
  • 包装：编带
描述：P沟道，40V，70A.
数据手册
含增值税
1+
¥2.0640
10+
¥1.5840
整包 2500 个
库存：1,437
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MTP5103N3
MOS(场效应管)/MTP5103N3
描述：-30V/-4.5A/P沟道
数据手册
含增值税
5+
¥0.7183
50+
¥0.5304
150+
¥0.4959
500+
¥0.4614
2500+
¥0.4461
整包 3000 个
库存：39
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