自营库存
原装正品 现货库存- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 漏极电流 Id（最大值）：
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- 导通电阻 Rds（on）：
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- FET类型：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- 已选条件：
38 条记录
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-9.9A P=1.45W
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-16A P=27.8W
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-2A P=500mW
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-4.6A P=2W
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=760mA
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-13A P=5.6W
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-20A
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含增值税
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描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-15A
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-3.8A P=1.08W
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-1.13A P=1.25W
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-19.7A P=5.7W
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-11.4A P=5W
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含增值税
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