自营库存
原装正品 现货库存- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 漏极电流 Id（最大值）：
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- 导通电阻 Rds（on）：
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- 栅源电压 Vgss：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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69 条记录
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-4.3A P=1.38W
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含增值税
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描述：N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=6.5A VDS2=-30V ID1=-4.9A VGS=±20V 2通路
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-3.8A P=1.08W
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=40A P=54W
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=30V VGS=±30V ID=7.3A
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含增值税
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=220mA P=300mW 2通路
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-5.3A P=2.5W
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-300mA P=370mW
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-3.1A P=750mW
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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