自营库存
原装正品 现货库存- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 漏极电流 Id（最大值）：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- 功率（最大值）：
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11 条记录
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描述：N沟道 VDS=12V ID=30mA
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=12V VGS=±12V ID=15A
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-7.1A P=2.5W
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含增值税
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描述：N沟道+P沟道 VDS=±12V VGS=±8V ID=±4.5A P=6.5W 2通路
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=12V VGS=±8V ID=9.3A P=680mW
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含增值税
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含增值税
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描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-6A P=1.7W
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-6.6A P=613mW
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-16A
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含增值税
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