自营库存
原装正品 现货库存- 工作温度：
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- 正向压降VF：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 电压-集射极击穿（最大值）：
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- 漏极电流 Id（最大值）：
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- 导通电阻 Rds（on）：
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- 栅源电压 Vgss：
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- FET类型：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- 功率（最大值）：
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- 晶体管类型：
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- 集电极电流Ic（最大值）：
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- 电流放大倍数hFE（最小值）：
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- 反向漏电流IR：
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- 阻抗（最大值）（Zzt）：
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- 齐纳电压VZ：
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- 稳压精度：
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18 条记录
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描述：NPN+PNP Ic1=500mA Vceo=1=65V Ic2=-600mA Vceo=2=-60V hfe=100~300 fT=100MHz P=200mW 2通路
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含增值税
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描述：NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=300~400 fT=150MHz P=200mW
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含增值税
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描述：NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=300~400 fT=150MHz P=200mW
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含增值税
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描述：PNP Ic=-100mA Vceo=-50V hfe=300~400 fT=180MHz P=200mW
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含增值税
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描述：NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=300~400 fT=250MHz P=200mW
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含增值税
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描述：NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=400~600 fT=250MHz P=200mW
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含增值税
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描述：NPN+PNP Ic=±600mA Vceo=1=40V Vceo=2=-60V hfe=35~300 fT=300MHz P=200mW 2通路
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含增值税
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描述：PNP Ic=-100mA Vceo=-45V hfe=300~400 fT=150MHz P=200mW
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=115mA VDS2=-50V ID2=-130mA P=200mW 2通路
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含增值税
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描述：NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=120~240 P=200mW
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含增值税
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含增值税
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描述：2NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=30~300 fT=300MHz P=200mW 2通路
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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描述：PNP Ic=-100mA Vceo=-45V hfe=300~400 fT=100MHz P=450mW
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含增值税
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描述：NPN Vceo=50V Ic=150mA hfe=200~400 fT=300MHz P=200mW
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含增值税
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描述：NPN Ic=100mA Vceo=45V hfe=300~400 fT=150MHz P=200mW
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含增值税
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