自营库存
原装正品 现货库存- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 漏极电流 Id（最大值）：
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- 导通电阻 Rds（on）：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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11 条记录
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描述：2N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=20A P=15.6W 2通路
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-40V VGS=±20V ID=-6.2A
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-40V VGS=±20V ID=-4.4A P=2.5W
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=40V VGS=±12V ID=9.4A
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含增值税
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描述：N沟道+P沟道 VDS1=40V ID1=8.3A VDS2=-40V ID2=-6.1A VGS=±20V P=1.5W 2通路
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-40V VGS=±20V ID=-3.4A
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含增值税
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=7A P=1.3W 2通路
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-40V VGS=±20V ID=-2.4A P=720mW
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含增值税
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描述：MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
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含增值税
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