Product overview
- Product name
- SISA18ADN-T1-GE3
- Part Number
- SISA18ADN-T1-GE3
- Manufacturer
- VISHAY(威世)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- N沟道,30V,38.3A,0.0075Ω@10V
Documents & Media
- Datasheets
- SISA18ADN-T1-GE3
Product Attributes
- 最大功率耗散(Ta) :
- 19.8W(Tc)
- 栅源极阈值电压 :
- 2.4V @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 7.5 mΩ @ 10A,10V
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 类型 :
- N 沟道
- 连续漏极电流(Id)(25°C 时) :
- 38.3A(Tc)
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗?
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。
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Price & Procurement
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