Product overview
- Product name
- BSO615N G
- Part Number
- BSO615N G
- Manufacturer
- Infineon(英飞凌)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- 双N沟道,60V,2.6A,0.15Ω@10V
Documents & Media
- Datasheets
- BSO615N G
Product Attributes
- 最大功率耗散（Ta） :
- 2W
- 栅源极阈值电压 :
- 2V @ 20uA
- 漏源导通电阻 :
- 150 mΩ @ 2.6A,4.5V
- 漏源电压（Vdss） :
- 60V
- 类型 :
- 2 个 N 沟道(双)
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 2.6A
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
Q : 可以提供原厂代理资质证明吗？
A : 中威电子自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
Q : 可以进行线下交易吗？
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
Q : 可以退货吗？
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，中威电子将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
Price & Procurement
Associated Product
You May Also Be Interested In
BLM18HB121SN1D
GZ2012D801TF
GBD201209PGH601N
FBMJ3216HM600-T
HCB1608KF-301T20
MGGB2012M121HT-LF
HCB3216KF-501T30
BLM18HK471SN1D
BLM15BA220SN1D
SBH1608S300QSP
SBK160808T-152Y-N
CBW322513U301T
PBY321611T-100Y-N
PZ3216D601-1R5TF
MGLB2012M121T2R0-LF
GBK160808T-121Y-N
CBH201209W801T
MGGB2012M600HT-LF
FCM1608KF-700T07
MU2029-600Y
