Product overview
- Product name
- SI4835DDY-T1-GE3
- Part Number
- SI4835DDY-T1-GE3
- Manufacturer
- VISHAY(威世)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- P沟道,-30V,-13A, 0.018Ω@-10V
Documents & Media
- Datasheets
- SI4835DDY-T1-GE3
Product Attributes
- 最大功率耗散(Ta) :
- 5.6W(Tc)
- 栅源极阈值电压 :
- 3V @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 18 mΩ @ 10A,10V
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 类型 :
- P 沟道
- 连续漏极电流(Id)(25°C 时) :
- 13A(Tc)
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗?
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。
Q : 可以提供原厂代理资质证明吗?
A : 中威电子自营精选品牌获得原厂授权代理资质,可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴(如信和达、富昌电子、RS电子),我们对产品都进行了严格的资质审核,拥有原厂标签和相关票据以供查验。
Q : 可以进行线下交易吗?
A : 我们提供线下付款服务,方便公司的采购与财务对接,具体操作流程可在线咨询客服。
Q : 可以退货吗?
A : 下单前请仔细核对产品型号信息,如因自身原因造成的误订错订,中威电子将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时,请务必保留原包装和标签,并在两周内联系我们申请退货。
Price & Procurement
Associated Product
You May Also Be Interested In
VEJ330M1ETR-0606
VZH330M1ETR-0606
VE-101M1CTR-0607
RVT1E470M0605
VZH101M0JTR-0606
LQP03HQ15NH02D
MLI1608-1R0(f)
1239AS-H-1R0M=P2
293D106X9035D2TE3
LQP03TN30NH02D
T520D477M006ATE0257034
LQW15AN18NG00D
TPSD337M010R0150V
LQG15HS1N0B02D
TAJD106M025RNJ
LQW18AN8N2D00D
T520Y477M006ATE010
MLG0603P0N8BTZ10
293D227X0016E2TE3
CMI322513U2R2KT







