自营库存
原装正品 现货库存- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 漏极电流 Id（最大值）：
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- 导通电阻 Rds（on）：
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- FET类型：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- 已选条件：
87 条记录
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描述：N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=350mA
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=300mA P=310mW 2通路
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=60V VGS=±15V ID=12A P=48W
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-60V VGS=±20V ID=-2.3A P=1.1W
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=310mA P=280mW
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含增值税
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描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=2.7A
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道 VDS=-60V VGS=±20V ID=-185mA P=350mW
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含增值税
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描述：N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=±250mA P=350mW
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含增值税
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=320mA P=420mW 2通路
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含增值税
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含增值税
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描述：MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
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含增值税
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描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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含增值税
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含增值税
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