自营库存
原装正品 现货库存- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 栅源电压 Vgss：
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- FET类型：
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- 漏源极电压（Vdss）：
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- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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9 条记录
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=300mA P=310mW 2通路
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含增值税
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描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=320mA P=420mW 2通路
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=180mA P=300mW 2通路
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=230mA P=370mW 2通路
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=300mA 2通路
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含增值税
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=5.3A P=3.1W 2通路
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含增值税
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描述：2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=6.3A P=2.1W 2通路
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含增值税
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